提拉法生长高质量氟化钙晶体的研究
日期:2015.01.01 点击数:3
【类型】会议论文
【会议录名称】第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
【会议名称】第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
【日期】2015
【作者联系方式】北京奇峰蓝达光学科技有限公司;四川欧瑞特光电技术科技有限公司
【摘要】本文中报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的氟化钙单晶。将高纯(5N)的CaF2颗粒料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入一定量的高纯CF4气体,加热使其熔化,恒温一段时间,然后以较快速率降温,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将块状晶料用于晶体生长。将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10-4Pa以上,通入一定量的高纯Ar气体
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