大面积高质量单层MoS₂薄膜的可控生长及其特性研究

【类型】会议论文

【会议录名称】中国化学会第30届学术年会摘要集-论坛二：新型前沿交叉化学论坛

【作者】时东霞 张广宇 

【关键词】 氧气 化学气相沉积 外延生长 MoS2 高质量

【会议名称】中国化学会第30届学术年会-论坛二：新型前沿交叉化学论坛

【日期】2016

【作者联系方式】中国科学院物理研究所

【摘要】具有类石墨烯结构的二维层状MoS2是直接带隙半导体材料,具有优异的电学和光电特性,是新型电子学和光电子学器件的基石。我们自行设计了三温区的管式炉,利用化学气相沉积系统（CVD）进行了大面积高质量MoS2单层薄膜的生长研究。通过在反应过程中引入少量刻蚀性的氧气,不仅能够有效地抑制反应源表面的硫化"中毒"现象,延长生长时间,同时可以降低MoS2的成核密度,促进大尺寸MoS2单晶的生长。一系列的

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