高温预生长提高GaN薄膜晶体质量

【类型】学位论文

【作者】杨光 

【关键词】 X射线衍射 高温预生长 光致发光 p型铟镓氮 氮化镓

【学位授予单位】华南理工大学

【学位年度】2014

【学位名称】硕士

【分类号】O484.1

【导师姓名】王洪，黄华茂

【摘要】以GaN为代表的第三代半导体材料，因其具有优良的特性，在半导体照明和电子信息领域得到了广泛地应用，其中GaN基LED作为新一代固态照明光源，成为了目前研究的热点。但目前LED芯片的总体性能仍难以达到人们预期指标，最主要的原因在于无法获得高质量的GaN薄膜。本文基于现有的外延片生长工艺，在图形化蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层之前，通入少量的三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长，制备了不同生长时间的四个蓝光LED外延片。外延片的光电性能测试结果表明，随着生长时间的不断增加，光致发光PL和电致

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