碲锌镉单晶生长与晶体质量研究

【类型】学位论文

【作者】孙士文 

【关键词】 单晶生长 CdZnTe 晶体缺陷 单晶质量评价 衬底制备

【学位授予单位】中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）

【学位年度】2014

【学位名称】博士

【分类号】O78

【导师姓名】何力

【摘要】碲锌镉（CdZnTe，Cd1-xZnxTe）单晶材料是制备高性能长波、甚长波碲镉汞（MCT）红外焦平面探测器的最佳衬底材料，在制备X和射线探测器、太阳能电池等方面也有着广阔的应用前景，因此，高质量CdZnTe单晶体的制备一直倍受关注。CdZnTe单晶存在生长温度高、热导率低、层错能低、组分分凝等诸多不利因素，导致单晶直径难以增大，晶体中大量存在着各种典型缺陷。增大晶体直径、提高晶体质量一直是CdZnTe单晶生长研究的主要方向。本文围绕MCT液相外延技术对大面积高质量CdZnTe衬底的迫切需求，在实验室多年

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