Al2O3和SiC衬底生长GaN质量对比及SiC衬底倾角对GaN质量的影响

【类型】学位论文

【作者】宋琳 

【关键词】 GaN SiC衬底 MOCVD 蓝宝石衬底 倾斜衬底

【学位授予单位】大连理工大学

【学位年度】2014

【学位名称】硕士

【分类号】TN304.2

【导师姓名】梁红伟

【摘要】GaN作为一种宽禁带直接带隙半导体材料,其室温下的禁带宽度约为3.45eV。近年来,GaN半导体材料因其在光电和大功率电子探测领域的突出性能而受到了更多的关注,例如LED和激光器等。由于获得合适的同质衬底材料非常困难,外延生长GaN通常采用蓝宝石(A1203)、碳化硅(SiC)或者硅(Si)衬底,在这些衬底当中蓝宝石和SiC更为常用。蓝宝石衬底的价格相对较低。但是蓝宝石与GaN的晶格失配过大,这将影响外延层的质量。并且其导热性太差,导致大功率器件在大电流工作下问题非常显著。SiC与GaN的晶格失配比较小,

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