高沉积气压下高质量多晶金刚石膜的制备
日期:2015.01.01 点击数:0
【类型】学位论文
【作者】曹为
【学位授予单位】武汉工程大学
【学位年度】2015
【学位名称】硕士
【分类号】TQ163;|TB383.2
【导师姓名】马志斌
【摘要】为了满足工业应用(如机械加工,微电子和光电子等)领域对高质量多晶金刚石膜的需求,本文采用具有压缩波导谐振腔结构的微波等离子体化学气相沉积装置,分别以CH4/H2、CH4/H2/O2、CH4/H2/Ar和CH4/H2/O2/Ar为气源,在高沉积气压下进行了高质量多晶金刚石膜的制备及研究,并以较高的沉积速率制备出了质量均匀且非晶碳含量低的多晶金刚石膜。(1)以CH4/H2等离子体沉积多晶金刚石膜的研究。研究了沉积气压和甲烷浓度对多晶金刚石膜制备的影响,以及薄膜质量的均匀性分布问题。结果表明:CH4/H2等离子
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