等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜制造过程质量控制方法研究

【类型】学位论文

【作者】吴晓松 

【关键词】 参数优化 模拟计算 多元统计过程 路径图 PECVD 贝叶斯理论 质量控制与诊断 氮化硅薄膜 MEWMA

【学位授予单位】上海交通大学

【学位年度】2015

【学位名称】博士

【分类号】TB383.2;|TM914.4

【导师姓名】褚学宁，苗瑞

【摘要】等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)的氮化硅(Si N x)薄膜(以下简称PECVD氮化硅薄膜)是提高太阳能电池光电转换效率的关键,研究PECVD氮化硅薄膜制造过程的质量控制技术能够提高产品的成品率、合格率、优质率,促进太阳能电池相关行业的快速发展,对我国太阳能电池行业有非常重要的理论和现实意义。在国内外已有的研究成果的基础上,本文围绕着PECVD氮化硅薄膜制造过程质量控制提出工艺参数具有相关性时的故障诊断、制造初期的质

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