GaN基材料的质量和LED光电性能的研究

【类型】学位论文

【作者】李明山 

【关键词】 氮化 光电性能 金属有机化学气相沉积 横向生长 p型掺杂 表面重构

【学位授予单位】太原理工大学

【学位年度】2015

【学位名称】硕士

【分类号】TN312.8;|O614.371

【导师姓名】马淑芳

【摘要】氮化镓（GaN）半导体材料具有带隙宽、热导率高、化学性能稳定等优越性，已经广泛应用于高温功率器件、高频微波器件以及发光二极管（LED）等。目前，蓝光LED主要是在蓝宝石衬底上外延生长多层氮化镓基材料而制成的，而氮化镓基材料与蓝宝石之间存在较大的晶格失配，通过预先生长一层GaN缓冲层，才能提高在其上生长的GaN基材料晶体质量，进而得到性能优异的器件。所以GaN缓冲层是整个发光材料生长的基础，是本文研究的重点；P型GaN基材料的掺杂直接决定LED器件性能，一直是蓝光LED外延生长中一个重要环节，也是本文的另一

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