HVPE法制备髙质量GaN单晶研究

【类型】学位论文

【作者】杨丹丹 

【关键词】 半导体材料 气相外延法 稳定性能 氮化镓单晶

【学位授予单位】天津大学

【学位年度】2015

【学位名称】硕士

【分类号】TN304.2;|TN304.05

【导师姓名】秦玉香，徐永宽

【摘要】氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料研究中的热点。在光学性质方面，氮化镓材料为直接带隙，禁带宽度为3.4eV，其合金带隙覆盖了从红色到紫色的光谱范围，尤其适合在紫外、蓝光器件方面的应用；在物理化学性质方面，GaN具有化学稳定性好、不易被腐蚀，熔化温度高、热传导性能优良、抗辐射等优点；在电学性质方面，GaN具有很高的击穿电压和电子迁移率，且介电常数低，决定了氮化镓器件将具有很高的性能。这些优点使氮化镓在光电子、微电子器件领域具有重要的应用潜力。br 本文首先对GaN材料的发展、常用衬底、主要表征手段进行

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