三维生长工艺对GaN外延层质量和阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响

【类型】学位论文

【作者】李小杜 

【关键词】 SiLENSe InGaN/GaN多量子阱 高温GaN MOCVD

【学位授予单位】太原理工大学

【学位年度】2016

【学位名称】硕士

【分类号】TN304.2

【导师姓名】翟光美

【摘要】Ga N基材料因其具有禁带宽度大、化学和热稳定性好、电子饱和漂移速度大和击穿电场强度大等特点广泛运用于功率器件、LD器件和LED器件。然而,Ga N基材料的外延生长工艺和器件结构依然需要进一步优化。本文利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了Ga N基材料,研究了三维生长工艺对Ga N外延层晶体质量和性能的影响,并对其生长机理进行了探讨;同时,理论模拟与实验相结合研究了阱厚对In Ga N/Ga N多量子阱光学性能的影响及相关物理机制,具体的研究结果如下所述。利用MOCV

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