表面缺陷结构对硅基材料大气等离子体抛光质量的影响研究

【类型】学位论文

【作者】贾广鲁 

【关键词】 抛光 量子化学 大气等离子体 表面缺陷 刻蚀

【学位授予单位】哈尔滨工业大学

【学位年度】2016

【学位名称】硕士

【分类号】TN305.2

【导师姓名】李兵

【摘要】硅基半导体材料因具备热导率高、键合能高、击穿场强高等优良性能,在航空航天、国防及民用等领域中应用得越来越多,但对其表面质量也提出了更高的要求,这给加工技术带了严峻的挑战。在实际应用中,缺陷普遍存在于硅基材料中,鲜有理论模型和实验手段对其精确分析及预测。现有研究主要是对完整硅基材料进行分析,往往忽略了缺陷的存在对加工的影响。本论文的研究内容是硅基材料中的缺陷对大气等离子体抛光加工的影响。以最为常见的刃型位错和螺旋位错为典型结构进行分析。利用量子化学模拟计算手段进行仿真分析,建立了4H-SiC超晶胞结构及含有

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